深圳罗姆MOS场效应管2SK3018 T106 SC-70 N沟道

    MOS管的参数和应用

    MOSFET中文名称金属-氧化物半导体场效应晶体管，也是我们常说的MOS管。MOS管因为极性的不同又可分为N型和P型两种MOS，也是增强型MOS管，简称NMOS和PMOS。

    油柑网一家致力于服务中小批量，以服务与用户为驱动的全品类电子元器件B2B交易服务平台。

    MOS管通常起到一个控制输出电流的作用，通过放大在输入端电流或电压的微小变化来控制输出端电流的变化。

    MOS管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

    1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅较电压UGS=0时的漏源电流。

    2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅较电压。

    3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅较电压。

    4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏较电流ID的控制能力，即漏较电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

    5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

    6、P*—耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于P*并留有一定余量。

    7、I*—漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应**过I*。

    在实际应用中，NMOS的Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源较接地时的情况（低端驱动），只要栅较电压达到4V或10V就可以了。PMOS的Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源较接VCC时的情况（驱动）。

    但是，虽然PMOS可以很方便地用作驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在驱动中，通常还是使用NMOS。